Hersteller Produktnummer:
BSN20BKR
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
BSN20BKR-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 265mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
Inventar:
169700 Stück Neu Original Auf Lager
12829001
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BSN20BKR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
265mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.49 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
20.2 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
310mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
BSN20
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
568-12638-1
568-12638-2
568-12638-2-DG
2156-BSN20BKRTR
1727-2341-6
568-12638-6
1727-2341-2
1727-2341-1
934068054215
568-12638-1-DG
568-12638-6-DG
5202-BSN20BKRTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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