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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
BST82,215
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
BST82,215-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
Inventar:
47865 Stück Neu Original Auf Lager
12829235
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BST82,215 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 150mA, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
40 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
830mW (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
BST82
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
BST82,215
HTML-Datenblatt
BST82,215-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
5202-BST82,215TR
568-6229-6-DG
568-6229-2
568-6229-2-DG
BST82 T/R
568-6229-1
568-6229-1-DG
1727-4937-2
1727-4937-6
BST82,215-DG
1727-4937-1
BST82 T/R-DG
933733110215
568-6229-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
ZVN3310FTA
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
6862
TEILNUMMER
ZVN3310FTA-DG
Einheitspreis
0.19
ERSATZART
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BSS123LT1G
HERSTELLER
onsemi
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TEILNUMMER
BSS123LT1G-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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