Hersteller Produktnummer:
BUK764R2-80E,118
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
BUK764R2-80E,118-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 324W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12829637
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BUK764R2-80E,118 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
136 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10426 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
324W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
BUK764
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
568-10244-6
1727-1091-6
568-10244-6-DG
BUK764R2-80E,118-DG
5202-BUK764R2-80E,118TR
568-10244-2
568-10244-1
568-10244-2-DG
1727-1091-1
1727-1091-2
934066646118
568-10244-1-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPB054N08N3GATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2888
TEILNUMMER
IPB054N08N3GATMA1-DG
Einheitspreis
0.74
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