Hersteller Produktnummer:
BUK7E1R8-40E,127
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
BUK7E1R8-40E,127-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12829495
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BUK7E1R8-40E,127 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
-
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11340 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
349W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAK
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
BUK7E1R840E127
NEXBUK7E1R8-40E127
568-9849-5-DG
2156-BUK7E1R8-40E,127-NEX
1727-7241
568-9849-5
934066512127
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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