Hersteller Produktnummer:
NXP3875YR
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
NXP3875YR-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 50V 0.15A TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 80MHz 200 mW Surface Mount TO-236AB
Inventar:
2848 Stück Neu Original Auf Lager
12830613
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NXP3875YR Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
200 mW
Frequenz - Übergang
80MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Basis-Produktnummer
NXP3875
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
1727-NXP3875YRTR
1727-NXP3875YRDKR
934067238215
1727-NXP3875YRCT
NXP3875YR-DG
5202-NXP3875YRTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
MMBT6428LT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
66073
TEILNUMMER
MMBT6428LT1G-DG
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