Hersteller Produktnummer:
PDTA114EQB-QZ
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PDTA114EQB-QZ-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 180 MHz 340 mW Surface Mount, Wettable Flank DFN1110D-3
Inventar:
5000 Stück Neu Original Auf Lager
12977534
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PDTA114EQB-QZ Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Frequenz - Übergang
180 MHz
Leistung - Max
340 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Paket / Koffer
3-XDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1110D-3
Basis-Produktnummer
PDTA114
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
1727-PDTA114EQB-QZTR
934663471147
1727-PDTA114EQB-QZDKR
1727-PDTA114EQB-QZCT
5202-PDTA114EQB-QZTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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