PDTB114ETVL
Hersteller Produktnummer:

PDTB114ETVL

Product Overview

Hersteller:

Nexperia USA Inc.

Teilenummer:

PDTB114ETVL-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 500 mA 140 MHz 320 mW Surface Mount TO-236AB

Inventar:

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12831121
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PDTB114ETVL Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
140 MHz
Leistung - Max
320 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q100
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Basis-Produktnummer
PDTB114

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PDTB114ETVL
HTML-Datenblatt
PDTB114ETVL-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
10,000
Andere Namen
934031090235
5202-PDTB114ETVLTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
DTB114EKT146
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
3443
TEILNUMMER
DTB114EKT146-DG
Einheitspreis
0.09
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