Hersteller Produktnummer:
PDTC114ET,215
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PDTC114ET,215-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Inventar:
26072 Stück Neu Original Auf Lager
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PDTC114ET,215 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Frequenz - Übergang
230 MHz
Leistung - Max
250 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Basis-Produktnummer
PDTC114
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
568-6429-2-DG
PDTC114ET T/R-DG
568-6429-1-DG
934031010215
568-6429-1
PDTC114ET215
5202-PDTC114ET,215TR
568-6429-2
1727-5131-6
568-6429-6-DG
568-6429-6
PDTC114ET,215-DG
1727-5131-2
PDTC114ET T/R
1727-5131-1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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