Hersteller Produktnummer:
PDTC114TMB,315
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PDTC114TMB,315-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3
Inventar:
12830782
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
PDTC114TMB,315 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Frequenz - Übergang
230 MHz
Leistung - Max
250 mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q100
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
3-XFDFN
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1006B-3
Basis-Produktnummer
PDTC114
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
5202-PDTC114TMB,315TR
934065954315
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
RN1107ACT(TPL3)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
9440
TEILNUMMER
RN1107ACT(TPL3)-DG
Einheitspreis
0.06
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
PDTA124XT,215
TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
PDTB143XTVL
TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
PDTC124XU,115
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323