Hersteller Produktnummer:
PDTC114YQBZ
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PDTC114YQBZ-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 180 MHz 340 mW Surface Mount, Wettable Flank DFN1110D-3
Inventar:
5000 Stück Neu Original Auf Lager
12997349
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PDTC114YQBZ Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Frequenz - Übergang
180 MHz
Leistung - Max
340 mW
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Paket / Koffer
3-XDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1110D-3
Basis-Produktnummer
PDTC114
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
934662605147
1727-PDTC114YQBZDKR
1727-PDTC114YQBZTR
1727-PDTC114YQBZCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
PDTC114YQB-QZ
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
4900
TEILNUMMER
PDTC114YQB-QZ-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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