Hersteller Produktnummer:
PEMD6,115
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PEMD6,115-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Inventar:
4000 Stück Neu Original Auf Lager
12831971
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PEMD6,115 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Transistor-Typ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
4.7kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Frequenz - Übergang
-
Leistung - Max
300mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-666
Basis-Produktnummer
PEMD6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
1727-PEMD6,115DKR
PEMD6 T/R
PEMD6 T/R-DG
PEMD6,115-DG
1727-PEMD6,115TR
934056709115
2166-PEMD6,115-1727
1727-PEMD6,115CT
5202-PEMD6,115TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RN4990FE,LF(CT
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
RN4990FE,LF(CT-DG
Einheitspreis
0.02
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