Hersteller Produktnummer:
PEMH16,115
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PEMH16,115-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Inventar:
12827541
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EINREICHEN
PEMH16,115 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
22kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Frequenz - Übergang
-
Leistung - Max
300mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-666
Basis-Produktnummer
PEMH16
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
NEXNXPPEMH16,115
1727-PEMH16,115TR
5202-PEMH16,115TR
934058929115
2156-PEMH16,115-NEX
PEMH16 T/R
1727-PEMH16,115DKR
1727-PEMH16,115CT
PEMH16,115-DG
PEMH16 T/R-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
NSBC124XDXV6T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
1962
TEILNUMMER
NSBC124XDXV6T1G-DG
Einheitspreis
0.05
ERSATZART
Direct
Teilenummer
RN1908FE(TE85L,F)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
RN1908FE(TE85L,F)-DG
Einheitspreis
0.04
ERSATZART
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