Hersteller Produktnummer:
PMBT5550-QR
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PMBT5550-QR-DG
Beschreibung:
PMBT5550-Q/SOT23/TO-236AB
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 300 mA 300MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Inventar:
3000 Stück Neu Original Auf Lager
13239401
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PMBT5550-QR Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
300 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
140 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Leistung - Max
250 mW
Frequenz - Übergang
300MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
1727-PMBT5550-QRTR
1727-PMBT5550-QRCT
1727-PMBT5550-QRDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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