Hersteller Produktnummer:
PMH1200UPEH
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PMH1200UPEH-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 520mA (Tc) 380mW (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount DFN0606-3
Inventar:
38138 Stück Neu Original Auf Lager
12890085
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
PMH1200UPEH Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
520mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 410mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
950mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
33 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DFN0606-3
Paket / Koffer
3-XFDFN
Basis-Produktnummer
PMH1200
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
1727-8578-6
5202-PMH1200UPEHTR
934660496125
1727-8578-1
1727-8578-2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
2SK3132(Q)
MOSFET N-CH 500V 50A TO3P
TK6A80E,S4X
MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS
SSM3J328R,LF
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F