Hersteller Produktnummer:
PMV32UP/MIR
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PMV32UP/MIR-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 510mW (Ta), 4.15W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Inventar:
12832979
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PMV32UP/MIR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
950mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1890 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
934068502215
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI2399DS-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
7732
TEILNUMMER
SI2399DS-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.13
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Einheitspreis
0.15
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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