PQMH13-QZ
Hersteller Produktnummer:

PQMH13-QZ

Product Overview

Hersteller:

Nexperia USA Inc.

Teilenummer:

PQMH13-QZ-DG

Beschreibung:

PQMH13-Q/SOT1216/DFN1010B-6
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6

Inventar:

5000 Stück Neu Original Auf Lager
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PQMH13-QZ Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Nexperia
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
4.7kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Frequenz - Übergang
230MHz
Leistung - Max
230mW
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-XFDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1010B-6

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
934666567147
1727-PQMH13-QZTR
1727-PQMH13-QZCT
1727-PQMH13-QZDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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