Hersteller Produktnummer:
PSMN1R9-40PL,127
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PSMN1R9-40PL,127-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 150A (Ta) 349W (Ta) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12947725
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PSMN1R9-40PL,127 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
150A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
13200 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
349W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
PSMN1R9
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
173
Andere Namen
NEXNEXPSMN1R9-40PL,127
2156-PSMN1R9-40PL,127-NEX
Umwelt- und Exportklassifizierung
HTSUS
0000.00.0000
DIGI-Zertifizierung
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