Hersteller Produktnummer:
PSMN3R3-80ES,127
Product Overview
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Teilenummer:
PSMN3R3-80ES,127-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12830886
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PSMN3R3-80ES,127 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9961 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
338W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAK
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
PSMN3R380ES127
568-8598-5
934066133127
1727-6502
568-8598-5-DG
2166-PSMN3R3-80ES,127-1727
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PSMN3R3-80ES,127
HERSTELLER
NXP USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
1415
TEILNUMMER
PSMN3R3-80ES,127-DG
Einheitspreis
1.35
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
PSMN3R3-80PS,127
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
10525
TEILNUMMER
PSMN3R3-80PS,127-DG
Einheitspreis
2.02
ERSATZART
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