PSMN5R0-100ES,127
Hersteller Produktnummer:

PSMN5R0-100ES,127

Product Overview

Hersteller:

Nexperia USA Inc.

Teilenummer:

PSMN5R0-100ES,127-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventar:

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PSMN5R0-100ES,127 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Nexperia
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9900 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
338W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAK
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
PSMN5R0

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PSMN5R0-100ES,127
HTML-Datenblatt
PSMN5R0-100ES,127-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
568-6714-DG
1727-5286
568-6714-5
568-6714-5-DG
568-6714
934065165127

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
FDI045N10A-F102
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
475
TEILNUMMER
FDI045N10A-F102-DG
Einheitspreis
1.84
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