Hersteller Produktnummer:
NTE25
Product Overview
Hersteller:
NTE Electronics, Inc
Teilenummer:
NTE25-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 80V 1A TO237
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A 50MHz 850 mW Through Hole TO-237
Inventar:
128 Stück Neu Original Auf Lager
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NTE25 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
NTE Electronics, Inc.
Verpackung
Bag
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
40 @ 250mA, 2V
Leistung - Max
850 mW
Frequenz - Übergang
50MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-237AA
Gerätepaket für Lieferanten
TO-237
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2368-NTE25
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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