Hersteller Produktnummer:
NTE81
Product Overview
Hersteller:
NTE Electronics, Inc
Teilenummer:
NTE81-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 30V 0.5A TO99
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 500 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-99
Inventar:
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NTE81 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
NTE Electronics, Inc.
Verpackung
Bag
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
30 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.2V @ 30mA, 300mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
15nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Leistung - Max
625 mW
Frequenz - Übergang
250MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-99-6 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-99
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2368-NTE81
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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