BC817RA147
Hersteller Produktnummer:

BC817RA147

Product Overview

Hersteller:

NXP Semiconductors

Teilenummer:

BC817RA147-DG

Beschreibung:

BC817RA - SMALL SIGNAL BIPOLAR T
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN 45V 500mA 100MHz 500mW Surface Mount DFN1412-6

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BC817RA147 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
45V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
160 @ 100mA, 1V
Leistung - Max
500mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-XFDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1412-6
Basis-Produktnummer
BC817

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
7,036
Andere Namen
2156-BC817RA147-954

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Vendor Undefined
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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