Hersteller Produktnummer:
PBSS4230PANP,115
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
PBSS4230PANP,115-DG
Beschreibung:
NOW NEXPERIA PBSS4230PANP - SMAL
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 2A 120MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
Inventar:
21000 Stück Neu Original Auf Lager
12948042
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
PBSS4230PANP,115 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
30V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
290mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 1A, 2V
Leistung - Max
510mW
Frequenz - Übergang
120MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-UFDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
6-HUSON (2x2)
Basis-Produktnummer
PBSS4230
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,764
Andere Namen
NEXNXPPBSS4230PANP,115
2156-PBSS4230PANP,115
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BC856AS-7
TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
BC847PN-7-F
TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
BC847BVN-7
TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT563