Hersteller Produktnummer:
PBSS5230QAZ
Product Overview
Hersteller:
NXP Semiconductors
Teilenummer:
PBSS5230QAZ-DG
Beschreibung:
NEXPERIA PBSS5230QA - 30 V, 2 A
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 2 A 170MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3
Inventar:
554308 Stück Neu Original Auf Lager
12996639
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PBSS5230QAZ Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
30 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
210mV @ 50mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 2V
Leistung - Max
325 mW
Frequenz - Übergang
170MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
3-XDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1010D-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,691
Andere Namen
2156-PBSS5230QAZ-954
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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