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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
PDTA124EMB,315
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
PDTA124EMB,315-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 180 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3
Inventar:
109990 Stück Neu Original Auf Lager
12947734
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PDTA124EMB,315 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
22 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Frequenz - Übergang
180 MHz
Leistung - Max
250 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-101, SOT-883
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1006B-3
Basis-Produktnummer
PDTA124
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
PDTA124EMB,315 Datasheet
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
11,225
Andere Namen
2156-PDTA124EMB,315
NEXNEXPDTA124EMB,315
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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