Hersteller Produktnummer:
PHE13009/DG,127
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
PHE13009/DG,127-DG
Beschreibung:
NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 12 A 80 W Through Hole TO-220AB
Inventar:
3680 Stück Neu Original Auf Lager
12947849
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PHE13009/DG,127 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
12 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
400 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2V @ 1.6A, 8A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
8 @ 5A, 5V
Leistung - Max
80 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
912
Andere Namen
WENNXPPHE13009/DG,127
2156-PHE13009/DG,127
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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