PMPB33XP,115
Hersteller Produktnummer:

PMPB33XP,115

Product Overview

Hersteller:

NXP USA Inc.

Teilenummer:

PMPB33XP,115-DG

Beschreibung:

NOW NEXPERIA PMPB33XP - 5.5A, 20
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN1010B-6

Inventar:

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PMPB33XP,115 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
37mOhm @ 5.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1575 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DFN1010B-6
Paket / Koffer
6-XFDFN Exposed Pad

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PMPB33xP,115 Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,206
Andere Namen
2156-PMPB33XP,115
NEXNEXPMPB33XP,115

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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