Hersteller Produktnummer:
PSMN2R6-60PSQ
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
PSMN2R6-60PSQ-DG
Beschreibung:
NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 150A (Tc) 326W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
304 Stück Neu Original Auf Lager
12947148
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
PSMN2R6-60PSQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7629 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
326W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
190
Andere Namen
2156-PSMN2R6-60PSQ
NEXNXPPSMN2R6-60PSQ
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FCU2250N80Z
MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK
FDB8896
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
FQPF19N10
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
