Hersteller Produktnummer:
2N5401BU
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2N5401BU-DG
Beschreibung:
BJT TO92 150V PNP 0.625W 150C
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 600 mA 400MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Inventar:
12834166
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2N5401BU Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
150 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Leistung - Max
625 mW
Frequenz - Übergang
400MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Basis-Produktnummer
2N5401
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
2N5401
2N5401-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
2N5401YBU
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
60032
TEILNUMMER
2N5401YBU-DG
Einheitspreis
0.04
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
