2N5550TAR
Hersteller Produktnummer:

2N5550TAR

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

2N5550TAR-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3

Inventar:

39899 Stück Neu Original Auf Lager
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2N5550TAR Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Box (TB)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
140 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Leistung - Max
625 mW
Frequenz - Übergang
300MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Basis-Produktnummer
2N5550

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
2N5550TFR Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
2832-2N5550TARTR
2N5550TARCT
2N5550TARTB
2N5550TAR-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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