Hersteller Produktnummer:
2N5551YBU
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2N5551YBU-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Inventar:
12835354
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2N5551YBU Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
160 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
180 @ 10mA, 5V
Leistung - Max
625 mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Basis-Produktnummer
2N5551
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
2N5684
TRANS PNP 80V 50A TO204
2N5172
TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3
BC338_J35Z
TRANS NPN 25V 0.8A TO92-3
