Hersteller Produktnummer:
2N5830_D26Z
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2N5830_D26Z-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 100V 0.2A TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 200 mA 625 mW Through Hole TO-92-3
Inventar:
12834856
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2N5830_D26Z Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
200 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Leistung - Max
625 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Basis-Produktnummer
2N5830
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
ZTX415STZ
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
ZTX415STZ-DG
Einheitspreis
5.95
ERSATZART
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ZTX653STZ
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VERFÜGBARE ANZAHL
0
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0.28
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