Hersteller Produktnummer:
2N7000-D75Z
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2N7000-D75Z-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventar:
8017 Stück Neu Original Auf Lager
12833381
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2N7000-D75Z Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Box (TB)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
50 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
400mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Basis-Produktnummer
2N7000
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
2N7000_D75ZFSTB
2N7000D75Z
2N7000_D75Z
2N7000_D75Z-DG
2N7000-D75ZTB
2N7000-D75ZFSCT
488-2N7000-D75ZTB
2N7000-D75ZFSCT-DG
2N7000_D75ZFSCT-DG
2N7000_D75ZTB
2N7000-D75ZTB-DG
2N7000_D75ZFSTB-DG
2N7000_D75ZTB-DG
2N7000_D75ZFSCT
488-2N7000-D75ZCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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