Hersteller Produktnummer:
2SA1319S-AA
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SA1319S-AA-DG
Beschreibung:
2SA1319 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 700 mA 120MHz 700 mW Through Hole 3-NP
Inventar:
6000 Stück Neu Original Auf Lager
12996783
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2SA1319S-AA Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
700 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
160 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 25mA, 250mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 5V
Leistung - Max
700 mW
Frequenz - Übergang
120MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket für Lieferanten
3-NP
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,664
Andere Namen
2156-2SA1319S-AA-488
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Vendor Undefined
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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