Hersteller Produktnummer:
2SB886
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SB886-DG
Beschreibung:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 8 A 20MHz 1.75 W Through Hole TO-220AB
Inventar:
2000 Stück Neu Original Auf Lager
12967770
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2SB886 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 8mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
1500 @ 4A, 3V
Leistung - Max
1.75 W
Frequenz - Übergang
20MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
268
Andere Namen
2156-2SB886-488
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Vendor Undefined
REACH-Status
Vendor Undefined
DIGI-Zertifizierung
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