Hersteller Produktnummer:
2SD1145F-AE
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SD1145F-AE-DG
Beschreibung:
BIP NPN 5A 20V
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 5 A 120MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Inventar:
16000 Stück Neu Original Auf Lager
12933880
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2SD1145F-AE Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
20 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 60mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
160 @ 500mA, 2V
Leistung - Max
900 mW
Frequenz - Übergang
120MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket für Lieferanten
3-MP
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,401
Andere Namen
2156-2SD1145F-AE
ONSONS2SD1145F-AE
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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