Hersteller Produktnummer:
2SD734E-AA
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
2SD734E-AA-DG
Beschreibung:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 700 mA 250MHz 600 mW Through Hole 3-NP
Inventar:
307500 Stück Neu Original Auf Lager
12946170
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2SD734E-AA Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
700 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
20 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 2V
Leistung - Max
600 mW
Frequenz - Übergang
250MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket für Lieferanten
3-NP
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,025
Andere Namen
ONSONS2SD734E-AA
2156-2SD734E-AA
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BCP51
TRANS PNP 45V 1.5A SOT223-4
BUJD203A,127
NOW WEEN - BUJD203A - POWER BIPO
BC548BTA
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
