30C02SP-AC
Hersteller Produktnummer:

30C02SP-AC

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

30C02SP-AC-DG

Beschreibung:

NPN SILICON TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 700 mA 540MHz 400 mW Through Hole 3-SPA

Inventar:

82500 Stück Neu Original Auf Lager
12930837
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30C02SP-AC Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
700 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
30 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
190mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
300 @ 50mA, 2V
Leistung - Max
400 mW
Frequenz - Übergang
540MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
3-SSIP
Gerätepaket für Lieferanten
3-SPA

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,323
Andere Namen
2156-30C02SP-AC
ONSONS30C02SP-AC

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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