Hersteller Produktnummer:
BC637RL1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
BC637RL1G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 60V 1A TO92
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 200MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventar:
12837076
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Menge
Mindestens 1
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BC637RL1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 2V
Leistung - Max
625 mW
Frequenz - Übergang
200MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92 (TO-226)
Basis-Produktnummer
BC637
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
2156-BC637RL1G-ONTR
ONSONSBC637RL1G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
KSC1008YTA
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
11666
TEILNUMMER
KSC1008YTA-DG
Einheitspreis
0.05
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