Hersteller Produktnummer:
BD159G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
BD159G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 350V 0.5A TO126
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 500 mA 20 W Through Hole TO-126
Inventar:
12846680
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BD159G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
350 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 50mA, 10V
Leistung - Max
20 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-126
Basis-Produktnummer
BD159
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
BD159GOS
ONSONSBD159G
BD159G-DG
2156-BD159G-OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
MJE340G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
MJE340G-DG
Einheitspreis
0.18
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