BD537J
Hersteller Produktnummer:

BD537J

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

BD537J-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 80V 8A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 8 A 12MHz 50 W Through Hole TO-220-3

Inventar:

12847063
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Menge
Mindestens 1
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BD537J Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
800mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 2A, 2V
Leistung - Max
50 W
Frequenz - Übergang
12MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Basis-Produktnummer
BD537

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,200

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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