Hersteller Produktnummer:
BD679AS
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
BD679AS-DG
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 80V 4A TO126-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A 40 W Through Hole TO-126-3
Inventar:
10094 Stück Neu Original Auf Lager
12846021
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BD679AS Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2.8V @ 40mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
750 @ 2A, 3V
Leistung - Max
40 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-126-3
Basis-Produktnummer
BD679
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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