Hersteller Produktnummer:
BDV65B
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
BDV65B-DG
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 100V 10A SOT93
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A 125 W Through Hole SOT-93
Inventar:
12834457
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Menge
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BDV65B Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2V @ 20mA, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 5A, 4V
Leistung - Max
125 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-218-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-93
Basis-Produktnummer
BDV65
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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