BS107G

Hersteller Produktnummer:

BS107G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

BS107G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)

Inventar:

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12848208

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BS107G Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

200 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

250mA (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

2.6V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

vgs(th) (max.) @ id

3V @ 1mA

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

60 pF @ 25 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

350mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Through Hole

Gerätepaket für Lieferanten

TO-92 (TO-226)

Paket / Koffer

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Basis-Produktnummer

BS107

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

1,000

Andere Namen

BS107GOS

BS107G-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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