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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
BSV52LT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
BSV52LT1G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 12 V 100 mA 400MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
15769 Stück Neu Original Auf Lager
12845486
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BSV52LT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
40 @ 10mA, 1V
Leistung - Max
225 mW
Frequenz - Übergang
400MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Basis-Produktnummer
BSV52
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
BSV52LT1G
HTML-Datenblatt
BSV52LT1G-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-BSV52LT1G-OS
BSV52LT1GOSCT
BSV52LT1GOSDKR
BSV52LT1GOSTR
=BSV52LT1GOSCT-DG
ONSONSBSV52LT1G
BSV52LT1G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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