Hersteller Produktnummer:
DTC113EET1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
DTC113EET1G-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416
Inventar:
9932 Stück Neu Original Auf Lager
12846739
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
DTC113EET1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
1 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
1 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
3 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Gerätepaket für Lieferanten
SC-75, SOT-416
Basis-Produktnummer
DTC113
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DTC113EET1GOSCT
DTC113EET1GOSTR
2832-DTC113EET1GTR
DTC113EET1GOSDKR
ONSONSDTC113EET1G
2156-DTC113EET1G-OS
DTC113EET1G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DRA5144V0L
TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI3
DTC124XET1G
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
DTA123EET1G
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
