DTC114TET1
Hersteller Produktnummer:

DTC114TET1

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

DTC114TET1-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416

Inventar:

Angebot Anfrage Online
12845029
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DTC114TET1 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-75, SOT-416
Gerätepaket für Lieferanten
SC-75, SOT-416
Basis-Produktnummer
DTC114

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DTC114TET1
HTML-Datenblatt
DTC114TET1-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-DTC114TET1-ONTR-DG
ONSONSDTC114TET1
2156-DTC114TET1

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DDTC114TUA-7-F
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
8390
TEILNUMMER
DDTC114TUA-7-F-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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Teilenummer
DTC143TETL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
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Einheitspreis
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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