Hersteller Produktnummer:
EFC4612R-TR
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
EFC4612R-TR-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 24 V 6A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount EFCP1313-4CC-037
Inventar:
12847510
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EFC4612R-TR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
24 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
EFCP1313-4CC-037
Paket / Koffer
4-XFBGA
Basis-Produktnummer
EFC4612
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
EFC4612R-TROSDKR
2156-EFC4612R-TR-ONTR
ONSONSEFC4612R-TR
EFC4612R-TROSCT
EFC4612R-TR-DG
EFC4612R-TROSTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI8816EDB-T2-E1
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SI8816EDB-T2-E1-DG
Einheitspreis
0.10
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