Hersteller Produktnummer:
EMD5DXV6T1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
EMD5DXV6T1G-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Inventar:
12846569
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EMD5DXV6T1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
4.7kOhms, 47kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10kOhms, 47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
-
Leistung - Max
500mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-563
Basis-Produktnummer
EMD5DX
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
EMD5DXV6T1GOS
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RN4984FE,LF(CT
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
70
TEILNUMMER
RN4984FE,LF(CT-DG
Einheitspreis
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