EMF23XV6T5G
Hersteller Produktnummer:

EMF23XV6T5G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

EMF23XV6T5G-DG

Beschreibung:

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP 50V, 60V 100mA 140MHz 357mW Surface Mount SOT-563

Inventar:

88000 Stück Neu Original Auf Lager
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EMF23XV6T5G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V, 60V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA, 500pA (ICBO)
Frequenz - Übergang
140MHz
Leistung - Max
357mW
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-563

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,323
Andere Namen
2156-EMF23XV6T5G-488

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Vendor Undefined
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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